電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運動.至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓電流大小而已.